Tranzystor

Tranzystor zbudowany jest z płytki półprzewodnikowej zawierającej trzy obszary (emiter, baza, kolektor) o kolejno zmieniającym się typie przewodnictwa p-n-p lub n-p-n. Na złączu między emiterem a bazą przyłożone napięcie „Ue” w kierunku przewodzenia o wartości rzędu kilku dziesiątych wolta. W takich warunkach złącze stawia mały opór, prąd elektronowy osiąga dużą wartość. Na złączu baza-kolektor przyłożone jest stosunkowo duże napięcie wsteczne „Uc” rzędu kilkudziesięciu woltów. przy tak przyłożonych napięciach powstają przeciwne bariery potencjałów. Swobodne elektrony z emitera, po przejściu bariery między emiterem a bazą, wchodzą do obszaru bazy. Od strony emitera jest ich więcej niż od strony bazy, powoduje to dyfuzję elektronów w kierunku kolektora i większość dociera do złącza baza – kolektor. Dodatni potencjał kolektora wciąga je do kryształu kolektora i w ten sposób zwiększa prąd kolektora. Natężenie prądu płynącego przez bazę. Proces sterowania prądu kolektorowego prądem emitera nosi nazwę zjawiska tranzystorowego.

Literatura:
[1] Vademecum: Fizyka. Operon, 2012.
Fotografie:
https://forbot.pl/blog/kurs-elektroniki-tranzystory-bipolarne-w-praktyce-id4315,
(dostęp: 01.04.2020)

Dodaj komentarz

Zaprojektuj witrynę taką jak ta za pomocą WordPress.com
Rozpocznij